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英国利兹大学电子工程系李联合研究员访问我系并做客第256期“凯发K8学术论坛”
发布时间:2017-12-25

 12月22日,英国利兹大学电子工程系李联合研究员应邀访问我系并做客第256期“凯发K8学术论坛”⛔️。李联合研究员面向全系师生作了题为“High performance terahertz frequency quantum cascade lasers and their applications(高性能半导体太赫兹量子级联激光器及其应用)”的学术报告。本次学术论坛由赵自然研究员主持,大约30名师生参加👨‍🎨。

李联合研究员专注半导体光电子材料和器件研究领域20余年。近年来🧑🏻‍🎤,主要侧重于半导体量子级联激光器(QCL) 和量子阱探测器(QWIP)的研究工作👳🏿‍♀️。特别是,在高功率太赫兹(THz)QCL的器件研发方面一直保持国际领先水平👯。此外,在光子准晶THz QCL📇🧘🏼‍♂️、高效功率提取的面发射THz QCL🕘、表面等离子体基元准直的THz QCL以及超越带隙光谱限制的p型GaAs/AlGaAs可调热载流子光探测器等方面也取得丰厚的学术成果。发表专业学术论文200余篇,其中Nature(自然)子刊论文20余篇。

半导体THz QCL是迄今为止唯一能够在THz波段实现连续工作的高功率⛩、紧凑型固态相干辐射源。自2002年成功研制以来它就引起人们的广泛关注和兴趣并迅速成为THz研究领域的热点🧘🏿‍♂️。经过不断的器件设计改进和性能提高,迄今为止,其工作频率已经可以覆盖1.2到5.6 THz,工作温度达199.5 K,脉冲输出峰值功率达2.4 W🧑🏼‍💼,并且采用斯特令制冷器的THz QCL系统也开始出现在商用市场上🎬。然而,THz QCL的材料生长制备是一项极具挑战性的工作,仅有为数不多的研究所和大学有能力获得高性能器件。利兹大学是这一研究领域的先行者。经过十几年的不懈探索和努力,已经实现了器件的可控性生长,能够可重复性地制作实现各种频率的高性能THz QCL并成功将其应用在了商用THz系统中。李联合研究员在报告中详细讲解了这些高性能器件的生长制备过程,器件设计的改进方案和性能提高的手段,简要介绍了宽谱THz QCL的最新研究进展,并展示了THz QCL在高分辨成像和痕量气体分析方面的应用。

此次学术论坛🍥,使我们对THz QCL发展现状有了全新的认识🧒,对利兹大学在先进电子和光电子器件制备方面的能力有了进一步的了解🐐,为双方潜在科研合作打下坚实基础🧑🏻‍🎄。


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